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A | 在OCP全球峰会上,英伟达(NVIDIA)聚焦于千兆瓦级AI工厂的未来发展,带来一系列前沿技术与创新成果展示,其中800V直流(VDC)技术成为一大亮点,引领数据中心能源架构变革。 相较于传统415或480V交流(VAC)三相系统,800V直流架构展现出显著优势。从物理传输层面来看,相同的铜线缆在800V直流下可传输超过150%的功率,以往单个机架供电所需的200公斤铜母线可以大幅减少,为客户节省数百万美元成本。

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C | 在数据中心实际应用中,800V直流架构提升了系统的可扩展性,让数据中心能够轻松应对不断增长的算力需求;其更高的能源效率,减少了电力传输过程中的损耗,契合当下绿色节能的趋势;同时,降低了材料使用量,优化了成本结构,并且为数据中心带来更高的性能容量。实际上,电动汽车和太阳能行业早已因类似效益采用800V直流基础设施,如今,数据中心领域也正迎来这一变革浪潮。 富士康积极响应,公布了为800V直流打造的40兆瓦台湾高雄1号数据中心;CoreWeave、Lambda等20多家行业先驱也纷纷投身800V直流数据中心设计。通过一场交易总对价约 16.2 亿元的重大资产置换,交运股份置出了原先持续亏损的五家汽车零部件子公司,装入久事集团旗下的赛事运营、场馆运营、浦江游览以及久事演艺四大资产,上市公司由此手握F1中国大奖赛、ATP1000上海大师赛、东方体育中心及徐家汇体育公园,和黄浦江超过50%份额的游船与苏州河全域独家运营权等顶级资源。此外,Vertiv推出了节省空间、成本和能源的800V直流MGX参考架构,惠普宣布支持相关技术,共同完善800V直流生态。 20多家NVIDIA合作伙伴正在帮助提供符合开放标准的机架服务器,助力未来的千兆瓦级AI工厂。 芯片提供商:亚德诺半导体(Analog Devices,Inc.,ADI)、AOS、宜普电源转换(EPC)、英飞凌(Infineon)、Innoscience、芯源系统(MPS)、纳微半导体(Navitas)、安森美(onsemi)、Power Integrations、瑞萨(Renesas)、立锜科技(Richtek)、罗姆(ROHM)、意法半导体(STMicroelectronics)和德州仪器(Texas Instruments) 电源系统组件提供商:BizLink、台达(Delta)、伟创力(Flex)、GE Vernova、领益科技(Lead Wealth)、光宝科技(LITEON)和麦格米特(Megmeet) 数据中心电源系统提供商:ABB、伊顿(Eaton)、GE Vernova、Heron Power、日立能源(Hitachi Energy)、三菱电机(Mitsubishi Electric)、施耐德电气(Schneider Electric)、西门子(Siemens)和Vertiv。 其中,包括中国大陆及台湾地区的合作伙伴数量不少,特别是英诺赛科成为了本土芯片行业唯一一家合作伙伴,另外也有包括PI等公司新进加入到了生态系统中。 英诺赛科——唯一氮化镓IDM 作为业内唯一的全栈氮化镓供应商及领先的氮化镓IDM企业,英诺赛科是唯一实现1200V至15V氮化镓量产的公司,可提供从800V到1V的全链路解决方案。与此同时,根据重组交易方案,交易对方(久事集团等)承诺,2026至2028年,置入资产(赛事、场馆、演艺、都市文旅)实现累计扣非归母净利润需不低于 3.4 亿元,年均超1.13亿。

D | 这使英诺赛科成为唯一有能力为所有转换阶段提供全GaN功率解决方案的供应商,从容应对未来架构为满足更高功率需求的演变。在这个节点,久事动娱呈现出一种中国国资文体产业相对少见的操盘状态:既有对标国际巨头、意图打破物理天花板的宏大野心,又有面对资源整合、商业规律时的相对克制。

E | 英诺赛科官方表示,基于48V电压的传统人工智能系统正面临严峻的挑战——效率低下、铜耗过高,超过45%的总功耗耗费在散热上。

F | 交运股份是典型的传统交通运输和汽车零部件企业,重资产、重折旧、重运力,在资本市场仅能获得10倍左右的传统制造业估值,2020至2025年连续六年扣非亏损,累计亏掉22.79亿元。未来的人工智能集群(如搭载超过500块GPU的机架)若沿用旧式PSU电源设计,将无空间容纳计算单元。置入资产则完全不同。

G | 800 VDC架构正是支持系统从千瓦级跃升至兆瓦级的解决方案。F1中国大奖赛、ATP大师赛这类顶级赛事IP,本质是对城市核心注意力的独家锁定。 除了向800V机架电源过渡外,该架构还要求在800V到1V的电压转换中实现超高功率密度和超高效率。2026年F1上海站三天观赛23万人次、票房同比增长超30%;2025年大师赛观赛突破25万、票房首度破亿,消费拉动25.87亿元。这些资产在特定节点能瞬间聚合全民焦点,具备极强的消费定价权。只有氮化镓功率器件(GaN)能够同时满足这些严苛要求。

H | 总经理章华群向生态圈表示:「场馆不仅是承载内容的舞台与容器,更要成为内容的策源地。 为满足800 VDC的功率密度要求,电源开关频率必须提升至近1MHz,以缩小磁性元件和电容器的尺寸。」商业底层逻辑从重资产运力切换到高毛利、强现金流的现代服务业——这是估值重构的核心。久事动娱总经理章华群战略发布会上,久事动娱首次明确提出对标AEG等国际一流文体产业集团。AEG的业务整合与打法结构是相对清晰的:自有场馆网络提供物理空间,AEG Presents是全球第二大演唱会推广商,能够持续供给内容,AEG旗下职业球队资产保障了基础使用率,以上三者叠加成为一套「内容+空间+赞助」的飞轮,场馆在非赛事日依然被填满,赞助商能购买 365 天全场景的曝光而非一块简单的广告牌。其旗舰资产伦敦 O2 体育馆,凭借 1.30 亿英镑(约 12 亿元人民币)的年营收实现了约 44% 的经营利润率,成为文体场馆商业化的教科书。从以上结构看,久事动娱重组后置入的业务构成的确与AEG有相似性,其赛事业务对应体育内容,场馆公司对应空间,演艺公司对应演出推广。

I | 但相似不等于相同,AEG的飞轮之所以高效,是其花费数十年重金筑起的自有内容制作与推广能力。相比之下,久事动娱的核心赛事IP均为国际授权运营,并非永久自有资产;演艺板块2025年营收1.2亿元,净利润仍亏损193.93万元。

J | 现有机架式电源的典型开关频率最高约300kHz,如果提升至1MHz可使磁芯尺寸缩减约50%。

K | 相比于对标AEG如今的体量,或许更值得久事动娱参考的,是AEG如何从重资产的场馆运营商,走向高毛利的内容与商业生态主导者这一条进化路径。 英诺赛科第三代氮化镓技术具备决定性优势: 在800V输入侧,英诺赛科氮化镓(GaN)与碳化硅(SiC)相比在每个开关半周期内可降低80%的驱动损耗和50%的开关损耗,从而实现整体功耗降低10%。 在54V输出端,仅需16颗英诺赛科氮化镓器件即可实现与32颗硅MOSFET相同的导通损耗,不仅将功率密度提升一倍,还使驱动损耗降低90%。久事动娱董事长杨亦斌比外界更清楚这条路的难度。在对话中,他将挑战概括为四个层面:新旧板块如何产生化学反应;运营模式如何提质增效;品牌如何从物流制造转型文体旅;总部架构如何为新业务赋能。 与现有机架架构中的硅MOSFET相比,800 VDC的低压电源转换阶段采用氮化镓材料可将开关损耗降低70%,并在相同体积内实现功率输出提升40%,大幅提升功率密度。实际上,这四个挑战指向同一个命题:这不是一次简单的资产置换,而是一家国企从重资产运营商向内容与体验运营商的系统式转型,挑战艰巨。 基于氮化镓的低压功率级可扩展以支持更高功率的GPU型号,其动态响应得到提升,同时降低了电路板上的电容成本。 Power Integrations——业界唯一1700V氮化镓供应商 Power Integrations产品开发副总裁Roland Saint-Pierre表示:“随着人工智能对电力需求的不断增长,采用800VDC输入方案可简化机架设计、提高空间利用效率并减少铜材用量。随着机架电力需求的不断攀升,我们认为1250V和1700V PowiGaN器件是主电源和辅助电源的理想选择,它们能够满足800VDC数据中心所需的效率、可靠性和功率密度要求。” Power Integrations的InnoMux2-EP IC,它是适用于800VDC数据中心辅助电源的独特解决方案。

L | InnoMux-2器件内集成的1700V PowiGaN开关支持1000VDC输入电压,其SR ZVS工作模式在液冷无风扇的800VDC架构中可为12V系统提供超过90.3%的效率。最硬的约束在于资产本身,「无论是场馆,还是赛事,天花板都是很明显的,票卖完了就卖完了」,杨亦斌直言。 市面上大部分制造商提供的商用器件通常具有低于200V的额定耐压,或其额定耐压介于600V至650V之间。在650V以上电压领域,仅有少数制造商推出了900V额定耐压的GaN HEMT。F1中国大奖赛、ATP1000上海大师赛每年集中营收约两周,爆发力极强但天然低频,与此同时,场馆折旧、运维和人力却是365天持续消耗,这是全球场馆运营商共同面对的难题。据了解,目前已经有不少新兴国际赛事在与久事动娱接洽。对于上海市场而言,类似F1、大师赛这样的核心体育内容仍然处在供不应求的阶段,对此杨亦斌表示,一方面要形成更多的产品,满足观众的内容消费需求,另一方面则要提升头部赛事的带动效应,以「赛票+」的方式去创新组合城市文体旅产品,进而带动城市经济发展。对于发展节奏,久事动娱仍然强调「稳字当头」,对于保留的物流业务、浦江游览,工作的目标主要是提升效率,「不需要增加多大的规模,但要求提升质量,是否太老了,太久了?」杨亦斌提出,物流板块要深度绑定文体主业,搭建文体专属供应链体系,承接赛事布展、演艺巡展、大型文体活动定制物流服务,提升差异化竞争力。基于硅衬底的商用GaN HEMT技术难以实现900V以上的电压扩展,因为这需要极厚的缓冲层,从而带来显著的工艺挑战。 因此,需要额定耐压1200V及以上宽禁带功率器件的应用一直受限于使用SiC开关器件。然而,与SiC相比,GaN能够实现更高的开关频率,在保持高效率的同时,为满足AI数据中心等应用日益增长的功率密度需求提供了可行路径。

M | 久事动娱董事长杨亦斌战略发布会上,久事动娱与Live Nation、华人文化演艺、NBA中国、CAA、环球音乐、EDC China等伙伴官宣签约,在自有内容能力建成前,外部资源仍然是其必备的内容伙伴,虽然这意味着高毛利内容端可能留在合作方手里,但从「房东」到主理人的逐步过渡,比起重金自建内容团队再交学费,各方面压力都会低得多。真正的不确定性在于整合。Power Integrations采用其专有PowiGaN技术制造的GaN HEMT具有独特的优势,可在实际器件中实现极高额定耐压(高达1700V),使其成为替代1200V SiC器件及更高电压器件的现成且极具吸引力的选择。物流重视规模、成本、效率,而文体旅则要保证内容、体验和品牌,两种运营逻辑的碰撞远比资产拼合复杂,「行业跨度比较大,好像完全没有相关性,但是这些放在一块了,怎么样能够让它产生一个好的融合效应?」杨亦斌比外界更清楚市场在观望什么,「大家也看到这几天这个市场的波动,市场对我们这个整合以后、重组以后新的动娱还不了解。」他坦言,上市公司身上传统的物流、制造标签仍然很重,「这个品牌怎么转型?怎么转型成为以文体旅交为核心主业的、新的上市公司?挑战很大,工作很多。」久事动娱要回答的本质上是一个行业级问题:国资背景的城市文体资产,究竟能不能靠市场化运营,在资本市场兑现价值?从生态圈的角度看,穿过IP、股份、市值等概念,久事动娱的成功关键只有两个词:内容与运营,稀缺的场馆资源、顶级的 IP 光环,能够在短期内聚焦注意力和吸引商业关注,向下则要覆盖大众健身、体育培训、运动社群等多层次的日常体育消费,再以演艺、会展、商业配套等多元业态,让体育融入市民日常。 为在800VDC母线应用中充分发挥GaN的优势,通常会采用两个650V GaN器件进行串联堆叠的半桥结构,共计使用四个650V GaN器件。

N | 持续的内容填充与精细化运营,共同转化为稳定盈利。虽然这种堆叠拓扑结构可以在GaN所能达到的高频下工作,但它带来了若干挑战,包括控制复杂性增加、输入电压不平衡导致的可靠性风险、占用空间增大以及导通损耗增加,从而导致效率降低和成本上升。相比之下,在此应用中采用1250V额定耐压的PowiGaN开关,不仅能显著简化功率变换器拓扑结构,更能充分利用GaN的特性——正是这些使其成为理想的高频功率开关。 利用1250V的PowiGaN共源共栅开关,电源设计人员可以非常放心地明确其设计可以工作于1000V的峰值VDS,同时满足80%的行业降额标准。对于工作峰值VDS超过1000V且高达1360V的应用场景,采用1700V PowiGaN共源共栅开关可让用户设计出同样高效的电源方案,但此时却是在更高的电压下工作。 上图显示了Power Integrations的共源共栅架构示意图。从「交运股份」到「久事动娱」,我们见证的不仅是一家老牌上市公司的价值重构,更是 A 股体育文旅板块估值逻辑的一次重新思考,与中国体育产业资产价值自我正名的关键一步。1250V/1700V GaN HEMT是一款基于Power Integrations的专有PowiGaN技术制造的常开、耗尽型器件。

o | 它与低压硅MOSFET串联,形成共源共栅结构,以实现有效的常关操作,这对于电力电子系统的安全运行至关重要。耗尽型GaN器件被认为具有极高的可靠性,因为它们无需p型GaN栅极层。

p | 不过,对于650V堆叠拓扑结构,将带来若干挑战: 输入电压不平衡:正常工作期间的输入电压不平衡必须得到妥善控制。如果半桥之间出现不平衡,GaN器件两端的应力电压可能会超过预期的约400V。在这种较高的电压应力下,由于HEMT的2DEG通道内的电流捕获效应,动态RDS(ON)退化将变得更加明显。这些限制凸显了在800VDC输入系统中采用650V增强型GaN堆叠结构时存在的可靠性与效率风险。 复杂的驱动设计:堆叠拓扑结构还会增加设计复杂性,特别是在栅极驱动电路中。每个半桥都需要专用上管驱器及隔离偏置电源,这进一步增加了系统成本、占用空间和设计负担。 效率较低且成本较高:采用具有相同RDS(ON)的GaN器件时,与1250V PowiGaN单管半桥拓扑结构相比,堆叠拓扑结构会产生更高的导通损耗。这意味着1250V PowiGaN设计可采用RDS(ON)值高出2倍的器件,同时仍能实现相同的整体效率和损耗特性。 另外,与具有近似RDS(ON)的1200V SiC MOS相比,1250V PowiGaN可以实现更高频率的LLC,从而实现更高的开关密度。 德州仪器——最全的产品组合 针对800V电源转换架构,德州仪器可以提供氮化镓(GaN)功率级、数字电源控制器、多相降压稳压器、DC/DC负载点降压转换器、热插拔控制器、隔离栅极驱动器等产品,支持800VDC架构下的高效高密度电源转换。 目前,800VDC存在着两种转换架构,一种为三段转换架构(800V→50V→12.5V/6.25V→<1V):800V经16:1 IBC转换为50V(效率98%),再经4:1 IBC转换为12.5V(效率98%),最后通过多相降压稳压器转换为核心电压(效率92%),整体峰值效率约88%。

q | 可变方案为:将4:1 IBC替换为8:1 IBC(50V→6.25V,效率约97.5%),多相稳压器效率提升至92.5%,整体效率仍约88%,且更低输入电压可支持更高开关频率,减小尺寸、改善瞬态性能并支持背面安装。 另外一种架构是两段转换架构(800V→12.5V/6.25V→<1V): 64:1 IBC方案:800V经64:1 IBC直接输出12.5V(效率97%),搭配多相稳压器(效率92%),整体效率约89%,可省去4:1 IBC,节省尺寸和成本。 128:1 IBC方案:800V经128:1 IBC输出6.25V(效率96.5%),多相稳压器效率90%,整体效率约89%,但存在大电流挑战(6.25V时电流达2.4kA-3.2kA),需大尺寸导体(如母线)和多模块并联以控制电路板损耗。

r | 德州仪器表示,800VDC架构下,两阶架构效率更高,功率密度也更大,但中高转换比IBC的大电流输出导致电路板损耗控制困难,需采用多模块并联。 总体而言,电源芯片需要越来越高的能量转换效率(降低数据中心运营成本、减少热损耗及空调开销)、小尺寸(电源组件占用电路板空间有限)、高可靠性及满足多相稳压器和负载点降压转换器的瞬态响应等性能要求。

s | 结尾 实际上,在NV公布800V生态系统之后的这段时间,正在纳入越来越多的合作伙伴,其中氮化镓的需求增长迅速。

t | 人工智能工作负载的指数级增长正在重塑数据中心格局,对功率密度、效率和可扩展性产生了前所未有的需求。传统的硅基电力电子器件和54伏架构已无法满足下一代AI工厂对数兆瓦级电力的需求。从电网直接到GPU的800伏直流架构转型,标志着一个根本性的转折点——它支持兆瓦级机架功率传输,大幅降低铜材与散热成本,并显著提升系统整体效率。
Current article:http://www.bainangmieruopanglaomen.sbs/news/20260826_5245678.html
Published on:11:53:30